Исследование некубической магнитной анизотропии в гранатовых пленках системы YSmLuCaFeGe

Для эпитаксиальных гранатовых пленок системы YSmLuCaFeGe исследовано влияние условий синтеза на наведенную некубическую магнитную анизотропию. Для выявления возможных вкладов в анизотропию выращенные образцы подвергались термообработке. Показано, что кроме положительной одноосной компоненты, пленки могут также обладать наведенной анизотропией типа glqq легкая плоскость». Константа одноосной анизотропии $K_{u}$ возрастает с увеличением скорости и понижением температуры роста, что указывает на более избирательное размещение ионов Sm$^{3+}$ в додекаэдрических узлах кристаллической решетки граната. Константа анизотропии типа «легкая плоскость» также возрастает с понижением температуры роста пленок. Обсуждаются возможные причины появления этой компоненты некубической анизотропии.