Светоиндуцированный дрейф экситонов

Предсказан эффект светоиндуцированного дрейфа (СИД) экситонов Ванье–Мотта под действием излучения, резонансного переходу между экситонными уровнями. Эффект обусловлен селективным по скоростям взаимодействием экситонов с излучением и различием релаксационных характеристик экситонов в разных квантовых состояниях. В отсутствие СИД движение экситонов вызывается только силой светового давления. Показано, что в этом случае возможна такая ситуация, когда поток экситонов направлен против светового потока. Подобный эффект в газах предсказан ранее и назван «отрицательным» световым давлением.