Концентрационное тушение и квантовый выход люминесценции Nd$^{3+}$ в полупроводниковых кристаллах $\gamma$-La$_{2}$S$_{3}$ и стеклах La$_{2}$S$_{3}\cdot$2Ga$_{2}$O$_{3}$

Прямым и косвенным методами определены значения квантового выхода люминесценции с уровня $^{4}F_{3/2}$Nd$^{3+}$ в полупроводниковых кристаллах $\gamma$-La$_{2}$S$_{3}{-}$Nd$^{3+}$ и стеклах La$_{2}$S$_{3}\cdot$2Ga$_{2}$O$_{3}{-}$Nd$^{3+}$ при резонансном и нерезонансном возбуждениях. Прямыми измерениями определен квантовый выход переноса энергии от матрицы к ионам Nd$^{3+}$ в указанных материалах. Определены характерные параметры донор-донорного и донор-акцепторного безызлучательного переноса энергии Nd$-$Nd. Двумя способами определено минимальное расстояние Nd$-$Nd в стекле La$_{2}$S$_{3}\cdot$2Ga$_{2}$O$_{3}{-}$Nd$^{3+}$.