Спин-решеточная релаксация в магнитных полупроводниках HgCr$_{2}$Se$_{4}$ $p$- и $n$-типов с переменной концентрацией носителей тока

Изучался ЭПР в магнитных полупроводниках HgCr$_{2}$Se$_{4}$ с различным типом и величиной проводимости. Установлено, что в полупроводниках $n$-типа спин-решеточная релаксация не зависит от величины проводимости и определяется лишь прямыми однофононными процессами. В полупроводниках $p$-типа может реализоваться несколько механизмов релаксации в зависимости от концентрации носителей тока и наличия быстрорелаксирующих примесей.