Сегнетоэлектрическая динамика кристаллов RbHSO$_{4}$

Путем измерения диэлектрических спектров в диапазоне субмиллиметровых волн определено температурное поведение параметров сегнетоэлектрического возбуждения в кристаллах RbHSO$_{4}$ и RbDSO$_{4}$. Показано, что это возбуждение по своей природе близко к релаксационному, а сегнетоэлектрическая динамика кристаллов хорошо описывается в рамках модели с асимметричным двухминимумным потенциалом.