Спиновая релаксация электронов проводимости в полупроводниках в сильном магнитном поле. Прецессионный механизм

Показано, что в полупроводниках со структурой цинковой обманки, находящихся в сильном классическом магнитном поле, существует эффективный механизм спиновой релаксации, обусловленный зависимостью $g$-фактора электрона от его импульса. Этот механизм не связан с переворотом спина при рассеянии электрона и может приводить к существенно более коротким временам релаксации, чем механизм Эллиота–Яфета. Указано на возможность экспериментальной проверки существования предложенного механизма на основе изучения зависимости степени ориентации фотовозбужденных электронов от магнитного поля.