|
Физика твердого тела, 1983, том 25, выпуск 4, страницы 1180–1183
(Mi ftt3671)
|
|
|
|
Распределение примеси теллура вблизи дислокаций в монокристаллах GaAs
Д. В. Клячко, В. Г. Кригель Московский государственный педагогический институт им. В. И. Ленина
Аннотация:
Распределение примеси Те около дислокаций роста в монокристаллах сильнолегированного GaAs исследовалось с помощью автоматического рентгеноспектрального микроанализа и растровой микрокатодолюминесценции (МКЛ). Измерения проводились по линии, пересекающей десяти-, двадцатимикронную область МКЛ изображения одиночной дислокации. Показано, что концентрация примеси в этой области не отличается от ее концентрации вдали от дислокации с точностью ${\sim10}$%. Повышение точности измерений, возможное в условиях такого эксперимента путем усреднения интенсивности характеристического рентгеновского излучения примеси по большому числу аналогичных дислокаций, позволило зарегистрировать обнаруженное превышение концентрации примеси в центре наблюдаемой в МКЛ области, окружающей дислокацию, на ${6.3\pm2.4}$% по сравнению с объемом кристалла.
Поступила в редакцию: 20.08.1982 Исправленный вариант: 09.12.1982
Образец цитирования:
Д. В. Клячко, В. Г. Кригель, “Распределение примеси теллура вблизи дислокаций в монокристаллах GaAs”, Физика твердого тела, 25:4 (1983), 1180–1183
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt3671 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v25/i4/p1180
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 35 | PDF полного текста: | 14 |
|