Электронная и ядерная магнитные релаксации в кристаллах фосфида индия, активированных марганцем

Исследована температурная зависимость времени спин-решеточной релаксации $T_{1}$ ядер In$^{115}$ в кристаллах InР$\langle\text{Мn}\rangle$ с содержанием Мn от ${5\cdot10^{17}}$ до ${5\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$. Показано, что при температурах ниже 250 K ядерные релаксационные процессы определяются спиновой диффузией ядерной намагниченности от ядер, расположенных вблизи магнитного центра, к удаленным ядрам. При этом с понижением температуры характер диффузии меняется от быстрой к ограниченной. Из температурной зависимости $T_{1}$ с учетом конкретного механизма диффузии определен механизм электронной спин-решеточной релаксации. Показано, что в диапазоне температур ${200\div40}$ K ${\tau_{1}\sim T^{-5}}$.