|
Физика твердого тела, 1983, том 25, выпуск 3, страницы 751–757
(Mi ftt3579)
|
|
|
|
Изменение параметров сегнетоэлектрика в поле сильной электромагнитной волны
Э. В. Бурсиан, В. В. Маслов, Я. Г. Гиршберг, С. В. Барышников Ленинградский педагогический институт им. А. И. Герцена
Аннотация:
Обнаружен новый фотосегнетоэлектрический эффект. Диэлектрическая проницаемость кристалла BaTiO$_{3}$ при воздействии сильного электромагнитного поля частотой ${\Omega<E_{g}}$ увеличивается на 20$-$30% в широком диапазоне температур выше и ниже перехода. Температура Кюри растет на несколько градусов, константа Кюри–Вейсса также возрастает. Эффект существенно нелинеен и наблюдается лишь при напряженности поля более $10^{5}$ В/см. Изменение параметров сегнетоэлектрика в поле сильной электромагнитной волны связывается с поляризацией электронной подсистемы: в поляризационном операторе появляются новые члены, логарифмически расходящиеся на малых частотах. Это увеличивает электрон-фононное взаимодействие и меняет динамику фазового перехода.
Поступила в редакцию: 12.07.1982 Исправленный вариант: 10.10.1982
Образец цитирования:
Э. В. Бурсиан, В. В. Маслов, Я. Г. Гиршберг, С. В. Барышников, “Изменение параметров сегнетоэлектрика в поле сильной электромагнитной волны”, Физика твердого тела, 25:3 (1983), 751–757
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt3579 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v25/i3/p751
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 37 | PDF полного текста: | 15 |
|