Тепловое расширение слоистых кристаллов. Модель Лифшица

Экспериментально изучено тепловое расширение слоистых кристаллов GaS, GaSe и InSe в двух направлениях, параллельном и перпендикулярном слоям, в интервале температур 20$-$200 K. Полученные данные проанализированы совместно с имеющимися результатами экспериментальных исследований теплового расширения других слоистых кристаллов графита и нитрида бора. Показано, что расчеты коэффициентов теплового расширения основанные на модели сильно анизотропного кристалла, приводят к результатам, хорошо согласующимся с экспериментальными в случае графита и нитрида бора. Теория качественно верно описывает поведение коэффициентов теплового расширения в кристаллах GaS, GaSe и InSe. Для количественных расчетов необходим учет реальной конечной анизотропии сил связи в указанных кристаллах.