Термализация фотоэлектронов на границе раздела арсенид галлия–металл. Проявление в спектрах фотоэдс

Экспериментально исследовано влияние магнитного поля на осциллирующие спектры фотоэдс (ОФЭ) в контакте арсенид галлия–металл при температуре 1.6$-$4.2 K. В эксперименте наблюдаются два типа ОФЭ. Первый обусловлен разделением электронов и дырок за счет диффузии горячих фотоэлектронов в глубь полупроводника (ЭДС Дембера), второй — потоком фотоэлектронов к поверхности (поверхностная фотоэдс). Установлено, что ЭДС Дембера уменьшается в слабых магнитных полях, а поверхностная фотоэдс от магнитного поля не зависит. Полученные результаты не описываются существующей теорией ЭДС Дембера на горячих электронах. Сделан вывод о сильной термализации фотоэлектронов на границе раздела арсенид галлия–металл. Поверхностная термализация в значительной мере определяет функцию распределения электронов в объеме полупроводника и основные особенности ОФЭ. Указываются возможные микроскопические механизмы термализации: эмиссия электронов в металл и термализация на накопленных вблизи поверхности дырках.