О затухании ПАВ в пьезоэлектрических кристаллах при взаимодействии с плазмой газового разряда

Исследовано затухание поверхностных акустических волн (ПАВ) в YZ-LiNbO$_{3}$ при взаимодействии с аргоновой газоразрядной плазмой. Исследованы концентрационные (концентрация заряженных частиц в плазме ${n_{e,i}\sim10^{12}\div4\cdot10^{14}\,\text{см}^{-3}}$) и частотные (частота ПАВ ${f\sim10\div100}$ МГц) зависимости затухания. В целом зависимости похожи на аналогичные зависимости релаксационного типа в пьезополупроводниках и слоистых структурах пьезоэлектрик–полупроводник, однако имеются и существенные различия, обусловленные прежде всего различием в функциях распределения свободных носителей заряда в этих системах и существованием у поверхности пьезоэлектрика, помещенного в плазму, так называемого ленгмюровского слоя. Рассмотрены предельные условия взаимодействия ${k\mathcal{L}\gg1}$ и ${k\mathcal{L}\ll1}$ ($k$ — волновой вектор ПАВ, $\mathcal{L}$ — толщина ленгмюровского слоя), а также режимы ${\omega\tau\gg1}$ и ${\omega\tau\ll1}$ ($\omega$ — частота ПАВ, $\tau$ — время релаксации заряженных частиц в плазме).