Создание центров окраски в кристаллах CsI при импульсном электронном облучении

Приводятся данные по разрешенной во времени оптической спектроскопии неактивированных кристаллов CsI, возбужденных импульсами ускоренных электронов (${E=0.25}$ МэВ, ${j=10^{2}\,\text{А}\cdot\text{см}^{-2}}$, ${t_{\text{и}}=10^{-8}}$ с). Показано, что наводимые к моменту окончания возбуждающих импульсов спектры оптического поглощения обусловлены при ${T=80{-}650}$ K френикелевскими дефектами, $F$-, $H$- и $\alpha$-центрами окраски (ЦО); отмечаются очень низкая для ряда ЩГК эффективность наведения ЦО, высокая скорость их спонтанной рекомбинации после импульсного облучения. Представленные данные интерпретируются в рамках экситонного механизма создания френкелевских пар; энергия активации для разделения компонентов $H{-}F$-пap в объеме CsI определена равной ${0.2\pm0.03}$ эВ. Получены прямые результаты, показывающие, что в процессе накопления устойчивых ЦО существенную роль играют реакции захвата электронных возбуждений накопленными ранее собственными радиационными дефектами.