Рассеяние электронов на границах кристаллитов и поверхности поликристаллических пленок свинца

Определены экспериментальные зависимости удельного сопротивления и температурного коэффициента сопротивления (ТКС) от толщины, размера кристаллитов, температуры (50$-$150 K) и процессов отжига для пленок свинца, полученных осаждением на охлаждаемую жидким гелием подложку. Экспериментальные данные для ТКС интерпретировались с помощью теорий Майадаса–Шатцкеса (МШ) и Тоссе, Телье, Пишара (ТТП), одновременно учитывающих рассеяние электронов на поверхности пленок и на границах кристаллитов. Обнаружено, что обе теории примерно одинаково описывают влияние рассеяния электронов на границах кристаллитов, но имеются существенные различия в учете рассеяния электронов на внешней поверхности. Сделан вывод, что теория ТТП лучше подходит для интерпретации полученных экспериментальных результатов, и обсуждаются причины менее удовлетворительной пригодности теории МШ. Полученные данные позволили также обсудить изменения количественных параметров рассеяния электронов на границах кристаллитов и на внешней поверхности, связанные с процессами отжига и рекристаллизационным ростом кристаллитов.