Туннельная люминесценция при длинноволновом примесном возбуждении щелочно-галоидных кристаллов

Обнаружено, что смещение полос фотолюминесценции кристаллов КСl$-$Еu и CsI$-$Тl в зависимости от концентрации активатора и закалки от высокой температуры коррелирует с изменением кинетики затухания свечения. На КCl$-$Еu найдено, что время затухания начальной экспоненциальной стадии уменьшается при понижении как концентрации примеси, так и температуры. Сделан вывод, что акту излучения предшествует изоэнергетическое туннелирование электрона из ловушки, заполняемой во время возбуждения, в эксимероподобное состояние излучающего осциллятора.