Анизотропия линейной поляризации горячей фотолюминесценции в $p$-GaAs

Приводятся результаты экспериментального и теоретического исследований анизотропии линейной поляризации горячей фотолюминесценции в $p$-GaAs. Обнаружен рост анизотропии линейной поляризации при рекомбинации фотоэлектронов из точки рождения с дырками, локализованными в основном состоянии мелкого акцептора (Zn) по мере увеличения начальной энергии электронов. Показано, что этот рост обусловлен изменением правил отбора для оптических переходов вдали от центра зоны Бриллюэна, связанным в основном с перестройкой волновых функций состояний валентной зоны.