Анизотропия затухания $E_{2g}$ оптического фонона в ГПУ металлах

Методом комбинационного рассеяния света исследованы температурные зависимости частоты и затухания $E_{2g}$-фонона на различных кристаллографических плоскостях монокристаллов рения, осмия и бериллия в интервале 100$-$650 K. В рении и осмии при низких температурах обнаружены существенные различия в ширине линии для фононов с направлениями волновых векторов в базисной плоскости кристаллов и перпендикулярно ей. Эти результаты свидетельствуют о значительном вкладе затухания Ландау в ширину линии фонона. Температурная зависимость затухания $E_{2g}$-фонона в бериллии имеет ангармонический характер.