Ферромагнитный резонанс в сильно проводящих кристаллах HgCr$_{2}$Se$_{4}$

Обнаружено, что отжиг в парах ртути кристаллов HgCr$_{2}$Se$_{4}$ приводит к изотропному уширению линии ферромагнитного резонанса, связанному с проводимостью, и к изменению соотношения между количествами ионов хрома неосновных валентностей (+2 и +4). Показано, что при низких температурах(${\lesssim20}$ K) уширение линии ФМР (${\sim1}$ кЭ) почти полностью обусловлено скин-эффектом и может быть объяснено на основе оболочечной модели.