|
Физика твердого тела, 1986, том 28, выпуск 4, страницы 1094–1099
(Mi ftt219)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Сверхпроводящий переход в SnTe, легированном индием
Г. С. Бушмарина, И. А. Драбкин, В. В. Компаниец, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, М. А. Шахов Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
Аннотация:
Исследовался сверхпроводящий переход СП в Sn1−xInxTe1+y при T≳0.4 K (полукристаллические образцы и тонкие слои на слюде). Температура СП Tc и производная второго критического магнитного поля Hc2 по температуре при T→Tc (определяемая плотностью состояний на уровне Ферми) при фиксированном содержании индия NIn=const немонотонно зависит от концентрации избыточного теллура, являющегося акцептором. Значения параметров СП пороговым образом зависят от содержания индия и монотонно возрастают при увеличении NIn=2÷16 ат.%. Результаты интерпретируются в рамках модели примесной полосы индия, расположенной на фоне сплошного спектра валентной зоны.
Поступила в редакцию: 11.09.1985
Образец цитирования:
Г. С. Бушмарина, И. А. Драбкин, В. В. Компаниец, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, М. А. Шахов, “Сверхпроводящий переход в SnTe, легированном индием”, Физика твердого тела, 28:4 (1986), 1094–1099
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt219 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v28/i4/p1094
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 83 | PDF полного текста: | 33 |
|