Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 1985, том 27, выпуск 8, страницы 2282–2285 (Mi ftt2175)  

Неустойчивость однородного распределения заряженной примеси замещения в полупроводниках

М. И. Василевский, С. Н. Ершов, В. А. Пантелеев

Горьковский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация: Предложен механизм неустойчивости однородного распределения примеси в полупроводнике, связанный с эффектом вакансионного ветра и отклонением от локальной нейтральности при возникновении флуктуации концентрации примеси. Показано, что механизм может реализоваться при облучении кремния, легированного элементами III или V групп.
Поступила в редакцию: 27.12.1984
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: М. И. Василевский, С. Н. Ершов, В. А. Пантелеев, “Неустойчивость однородного распределения заряженной примеси замещения в полупроводниках”, Физика твердого тела, 27:8 (1985), 2282–2285
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VasErsPan85}
\by М.~И.~Василевский, С.~Н.~Ершов, В.~А.~Пантелеев
\paper Неустойчивость однородного распределения заряженной примеси замещения в~полупроводниках
\jour Физика твердого тела
\yr 1985
\vol 27
\issue 8
\pages 2282--2285
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt2175}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt2175
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v27/i8/p2282
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024