|
Физика твердого тела, 1985, том 27, выпуск 8, страницы 2282–2285
(Mi ftt2175)
|
|
|
|
Неустойчивость однородного распределения заряженной примеси замещения в полупроводниках
М. И. Василевский, С. Н. Ершов, В. А. Пантелеев Горьковский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Предложен механизм неустойчивости однородного распределения примеси в полупроводнике, связанный с эффектом вакансионного ветра и отклонением от локальной нейтральности при возникновении флуктуации концентрации примеси. Показано, что механизм может реализоваться при облучении кремния, легированного элементами III или V групп.
Поступила в редакцию: 27.12.1984
Образец цитирования:
М. И. Василевский, С. Н. Ершов, В. А. Пантелеев, “Неустойчивость однородного распределения заряженной примеси замещения в полупроводниках”, Физика твердого тела, 27:8 (1985), 2282–2285
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt2175 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v27/i8/p2282
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 19 |
|