Изменение оптических свойств кристаллов CdS в условиях мощного оптического возбуждения

Исследовано изменение абсорбционных и дисперсионных свойств кристаллов CdS в области $A_{n=1}$ экситонного резонанса с временным разрешением 50 пс в условиях мощного импульсного оптического возбуждения при температуре 5 K. Изучено искажение формы импульса прошедшего сквозь образец излучения, связанное с возникновением электронно-дырочной плазмы, и обсуждается возможный механизм абсорбционной бистабильности. Определены времена изменения показателя преломления CdS на переднем и заднем фронтах импульса $\leqslant100$ пс и $\approx200$ пс соответственно. Отмечено существенное влияние разогрева электронной подсистемы кристалла под действием мощных лазерных импульсов и выделен электронный механизм гистерезиса в пропускании образца.