|
Физика твердого тела, 1985, том 27, выпуск 4, страницы 1088–1092
(Mi ftt1898)
|
|
|
|
Электронно-стимулированная подвижность дислокаций в полупроводниках с высокими барьерами Пайерлса
В. И. Белявский, Б. М. Даринский, В. В. Свиридов Воронежский политехнический институт
Аннотация:
Заполнение носителями локализованных в дислокационных ядрах состояний приводит к изменению подвижности дислокаций в полупроводниках с высокими барьерами Пайерлса и позволяет с единой точки зрения качественно описать известные фото- и электромеханический эффекты, а также аномальное влияние электрически активных примесей на подвижность дислокаций в полупроводниках.
Поступила в редакцию: 19.06.1984 Исправленный вариант: 02.10.1984
Образец цитирования:
В. И. Белявский, Б. М. Даринский, В. В. Свиридов, “Электронно-стимулированная подвижность дислокаций в полупроводниках с высокими барьерами Пайерлса”, Физика твердого тела, 27:4 (1985), 1088–1092
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt1898 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v27/i4/p1088
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 48 | PDF полного текста: | 19 |
|