Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 1985, том 27, выпуск 4, страницы 1062–1068 (Mi ftt1893)  

Стационарные характеристики фототока кристаллов типа силленита

И. С. Захаров

Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники
Аннотация: Проведен теоретический анализ температурной зависимости фототока с применением многоуровневых моделей рекомбинации для монополярного полупроводника типа силленита, учитывающих наличие быстрых и медленных центров рекомбинации и «следящих» уровней прилипания. Для модели рекомбинации типа «уровень прилипания–уровень рекомбинации» определены условия возникновения процесса температурного гашения фототока ТГФ, его начала и окончания. Отношение фототоков в максимуме и минимуме определяется соотношением времен жизни носителей заряда на медленных и быстрых уровнях рекомбинации.
Исследованы температурные зависимости фототока $\mathcal{I}_{\text{Ф}}(T)$ и люкс-амперные характеристики (ЛАХ) кристаллов типа силленита (германата, силиката и титаната висмута) в области температур 77$-$300 K. На кривых $\mathcal{I}_{\text{Ф}}(T)$ для нелегированных кристаллов и легированных некоторыми окислами металлов область активации фототока при низких температурах переходит при повышении температуры в область ТГФ. Температура перехода зависит от концентрации уровней прилипания. Легирование Bi$_{12}$FePO$_{40}$ и V$_{2}$O$_{5}$ приводит к исчезновению области ТГФ в этом диапазона $T$. В области ТГФ при одинаковых значениях интенсивности света $L$ фототок зависит от температуры.
Следовательно, в кристаллах типа силленита процесс рекомбинации носителей заряда через медленные и быстрые центры контролируется уровнями прилипания.
Поступила в редакцию: 20.09.1984
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315
Образец цитирования: И. С. Захаров, “Стационарные характеристики фототока кристаллов типа силленита”, Физика твердого тела, 27:4 (1985), 1062–1068
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Zak85}
\by И.~С.~Захаров
\paper Стационарные характеристики фототока кристаллов типа силленита
\jour Физика твердого тела
\yr 1985
\vol 27
\issue 4
\pages 1062--1068
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt1893}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt1893
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v27/i4/p1062
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024