Переход полупроводник–металл в кристаллах Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Se под действием давления

В алмазной камере исследованы сопротивление и термоэдс фаз высокого давления кристаллов Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Se со структурами киновари (${x=0.2, 0.35, 0.5}$) и каменной соли (${x=1.0}$). Обнаружен переход полупроводник–металл в фазах со структурой типа киновари при ${p=20\div25}$ ГПа. Полученные значения термоэдс для селенида кадмия в фазе каменной соли при давлениях до 35 ГПа соответствуют полупроводнику с примесной проводимостью. Рассмотрены возможные при этом изменения структуры соединений Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Se, вызывающие особенности их электрических свойств.
Переход полупроводник-металл обнаружен также в кристаллах Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te (${x=0.15}$) при давлении ${11\pm1}$ ГПа.