Об энергетической релаксации горячих дырок в спин-отщепленной подзоне в кристалле GaAs

Изучена релаксация горячих фотовозбужденных носителей тока в спин-отщепленной подзоне в арсениде галлия при спонтанном испускании продольных оптических фононов. Показано, что при достаточно больших квантах возбуждения дырки в отщепленной подзоне достигают своей вершины, уходя в другие подзоны валентной зоны и затем возвращаясь обратно. Роль межзонных переходов становится существенной, когда кинетическая энергия носителей, генерируемых в спин-отщепленной подзоне, больше энергии четырех оптических фононов.