Хуанговское диффузное рассеяние нейтронов на различных точечных дефектах в ЩГК

С использованием результатов, полученных методом статики решетки для релаксации щелочно-галоидного кристалла с дефектами, проведены расчеты хуанговского диффузного рассеяния нейтронов на кристалле КСl, содержащем примесь Вr$^{-}$, катионную вакансию, примесь Са$^{2+}$ с компенсирующей вакансией и бивакансию. Анализируются вклады в сечение рассеяния от кулоновских и некулоновских сил, действующих на решетку со стороны дефекта. Показано, что рассеяние позволяет определить расстояние между компонентами дефекта.