|
Физика твердого тела, 1985, том 27, выпуск 1, страницы 126–132
(Mi ftt1670)
|
|
|
|
Влияние собственных упругих напряжений и искажения колебательного спектра на дефектообразование и диффузию в полупроводниках
М. И. Василевский, Г. М. Големшток, В. А. Пантелеев Горьковский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Рассмотрено влияние упругого взаимодействия дефектов, связанных с ними локальных электронных уровней в запрещенной зоне и возмущения колебательного спектра кристалла на равновесные концентрации вакансий и примесных междоузельных атомов в однородно-легированном полупроводнике и сделана оценка этих эффектов. Исследовано влияние «фононного» взаимодействия дефектов и собственных (концентрационных) упругих полей на диффузию примеси замещения; показано, что в случае одномерной диффузии в толстую пластину последнее полностью компенсируется парным упругим взаимодействием дефектов — центров дилатации.
Поступила в редакцию: 16.07.1984
Образец цитирования:
М. И. Василевский, Г. М. Големшток, В. А. Пантелеев, “Влияние собственных упругих напряжений и искажения колебательного спектра на дефектообразование и диффузию в полупроводниках”, Физика твердого тела, 27:1 (1985), 126–132
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt1670 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v27/i1/p126
|
|