Зонная модель фотоиндуцированных магнитных эффектов в Y$_{3}$Fe$_{5}$O$_{12}$ : Si

Два класса (поляризационно-зависимых и независимых) фотоиндуцированных магнитных эффектов (ФИМЭ) в Y$_{3}$Fe$_{5}$O$_{12}$ : Si рассматриваются с единой позиции, в основе которой лежат представления о зонной структуре магнитного полупроводника Y$_{3}$Fe$_{5}$O$_{12}$ : Si. Сущность предлагаемого механизма ФИМЭ основана на модели делокализованного иона Fe$^{2+}$ и заключается в том, что облучение приводит к электрической перезарядке примесных центров и дефектов, характер которой зависит от концентрации и состава легирующей примеси, поляризации и спектра облучающего света. Качественно рассматриваются концентрационная, спектральная, температурная зависимости ФИМЭ. Делается вывод о том, что для существования ФИМЭ наряду с донорной примесью принципиально необходимо наличие акцепторной примеси. Исходя из существования двух режимов электропроводности: высокотемпературного зонного и низкотемпературного прыжкового по примесям, объясняются исчезновение с повышением температуры соответственно поляризационно-независимых и зависимых ФИМЭ, эффекты магнитного последействия.