Оптическое проявление связывания экситонов центрами приповерхностного дефектного слоя в кристаллах

Исследованы изменения экситонных спектров отражения кристаллов CdSe и CdS под действием электронной бомбардировки при 4.2 K. В спектрах обнаружена структура, приписываемая оптическому проявлению приповерхностных экситонов (ПЭ). При больших дозах облучения (${\sim10^{18}}$ эл/см$^{2}$) получен эффект вращения и разгорания контуров отражения ПЭ. Результаты объясняются изменением при облучении приповерхностной области кристаллов за счет радиационно-стимулированного дефектообразования.