Время релаксации ЯМР в сильно анизотропных слабо неупорядоченных системах

Рассмотрена скорость релаксации ЯМР $1/T_{1}$ в квазиодномерных и квазидвумерных системах. Показано, что $1/ T_{1}$ подобно проводимости существенным образом определяется соотношением между значением межцепочечного или межслойного туннелирования и силой примесного рассеяния. Зависимость $1/T_{1}$ от магнитного поля $H$ появляется при значительно меньшем беспорядке по сравнению с изотропным металлом и имеет сингулярный характер в точке андерсоновского перехода металл–диэлектрик. Учет рассеяния электронов на фононах может существенно подавить указанную сингулярность и оказывается важным в диэлектрической фазе, приводя к возрастанию скорости релаксации и новым особенностям в поведении $1/T_{1}$ от $H$.