Электрические и магнитные свойства Кондо-решеток CeSi$_{2-x}$Ga$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant 1.3}$)

У Кондо-решеток CeSi$_{2-x}$Ga$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant 1.3}$) со структурой типа $\alpha$-ThSi$_{2}$ исследованы температурные зависимости удельного сопротивления, магнитной восприимчивости и коэффициента термоэдс. Измерения проведены в интервале температур ${1.7 <T< 300}$ K. Обнаружено, что при увеличении концентрации галлия $x$ в диапазоне ${x\simeq 0.2\div0.3}$ осуществляется переход от Кондо-решетки с высокой температурой Кондо $T_{\text{K}}$ к Кондо-решетке с низкой $T_{\text{K}}$. Этот переход является аналогом $\alpha{-}\gamma$-перехода в металлическом церии. Показано, что при ${0.1\leqslant x\leqslant1.3}$ сплавы CeSi$_{2-x}$Ga$_{x}$ переходят из парамагнитного в ферромагнитное состояние при температуре ${T_{M}\lesssim12}$ K. Температура $T_{M}$ почти не зависит от $x$ в окрестности фазового перехода, а затем в интервале ${0.7\lesssim x\leqslant1.3}$ ее значение падает с ${T_{M}=12}$ K при ${x=0.7}$ до ${T_{M}=5}$ K при ${x=1.3}$, что, вероятно, указывает на уменьшение концентрации электронов при замещении кремния на галлий в CeSi$_{2-x}$Ga$_{x}$.