Механизм роста толстой графитовой пленки на поверхности пересыщенного твердого раствора углерода в металле

Предложен механизм, объясняющий рост графитовой пленки на поверхности пересыщенного твердого раствора углерода в металлах и сплавах. Образование толстой пленки на поверхности при выделении из объема металла специфично лишь для углерода и не характерно для других атомов (В, Si, S, Р), диффундирующих по механизму внедрения, выделение которых заканчивается образованием на поверхности монослоя диффузанта. Аномальное выделение углерода связывается с графитовым строением пленки. Из-за валентного насыщения графитового слоя центральная часть графитового островка поднята (на $\geqslant4$ Å) над поверхностью металла и связана с ней силами Ван-дер-Ваальса. Валентно-активные края островка опущены на поверхность и связаны с ней химически. Поэтому монослой графита в отличие от монослоя хемосорбированного углерода не мешает диффузии на поверхность атомов углерода, которые располагаются в адслое под поднятым монослоем, что обеспечивает при выделении рост толстой графитовой пленки.