|
Физика твердого тела, 1986, том 28, выпуск 1, страницы 72–79
(Mi ftt11)
|
|
|
|
Теория когерентной рекомбинации
Ю. В. Копаев, Н. В. Корняков Московский институт электронной техники
Аннотация:
Рассмотрено влияние на интенсивность рекомбинационных процессов в полупроводниках эффектов когерентности, обусловленных кулоновским взаимодействием электронов и дырок. Скорость рекомбинации неравновесных носителей заряда вычислена для двух случаев: когда при накачке когерентное состояние электронов и дырок возникает для состояний зоны проводимости и валентной зоны, для зоны и примесного уровня. Вычисления проведены в рамках обобщенного приближения самосогласованного поля. Указано на обоснованность использования этого приближения для описания неравновесного когерентного состояния зонных и примесных электронов и дырок. Обсуждается влияние процессов рекомбинации на род неравновесного фазового перехода.
Поступила в редакцию: 24.06.1985
Образец цитирования:
Ю. В. Копаев, Н. В. Корняков, “Теория когерентной рекомбинации”, Физика твердого тела, 28:1 (1986), 72–79
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt11 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v28/i1/p72
|
|