К вопросу о тонкой структуре 2$p$-спектров поверхности (100) кремния

Используя синхротронное излучение и фотоэлектронную спектроскопию высокого разрешения (56–66 meV), исследована тонкая структура 2$p$-спектров поверхности Si(100) при 100 K в широкой области значений глубины выхода электронов. Показано, что эти спектры включают в себя пять поверхностных компонент. Установлена взаимосвязь их энергетических сдвигов с атомной и электронной структурой реконструкции с(4 $\times$ 2). Определены условия, при которых 2$p$-спектры имеют наибольшую чувствительность к поверхности и объему кремния, и, в частности, получены значения длины свободного пробега электронов в кремниевом кристалле как функции энергии фотонов. Полученные результаты могут быть использованы в качестве справочных данных в исследованиях различных поверхностных структур на подложке Si(100) с помощью фотоэмиссионных методов.