Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2020, том 62, выпуск 6, страница 914 (Mi ftt10186)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводники

Synthesis and characterization of high-quality polycrystalline sample NiV2O6 by solid-state reaction technique

M. Atikur Rahman, M. R. Akter, M. Romana Khatun, R. Sultana, M. A. Razzaque Sarker
Аннотация: Employing the solid-state reaction route, good quality polycrystalline sample NiV2O6 is prepared that has effective application in rechargeable Li-ion batteries. The raw materials NiO and V2O5 (purity > 99%) were used for the fabrication of NiV2O6. The phase formation and thermal stability of this sample were measured by thermogravimetric analyzer. The micro-structural feature of this sample was measured by scanning electron microscopy (SEM). The SEM images ensured that the product NiV2O6 is very uniform and well-separated and consists of large grain size of about 1–5 μm. The crystal structure and bonding characteristics of NiV2O6 were obtained by XRD diffractometer and FTIR spectroscopy. The X-ray diffraction data revealed the triclinic structure of NiV2O6 with space group P-1 and lattice parameters: a = 7.162 ˚A, b = 8.816 ˚A, c = 4.789 ˚A, and axial angles α = 90.13, β = 93.78, and γ = 101.72. The temperature-dependent electrical resistivity of NiV2O6 was measured by two-probe method which ensured the semiconducting nature of this phase. The electronic and optical properties were investigated by impedance analyzer and UV-Visible spectrophotometer. The calculated optical band gap of NiV2O6 is found to be 2.38 eV.
Ключевые слова: crystal morphology, XRD, SEM, FTIR, electronic properties, optical properties.
Поступила в редакцию: 11.11.2019
Исправленный вариант: 30.01.2020
Принята в печать: 02.02.2020
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2020, Volume 62, Issue 6, Pages 1024–1032
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783420060049
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: M. Atikur Rahman, M. R. Akter, M. Romana Khatun, R. Sultana, M. A. Razzaque Sarker, “Synthesis and characterization of high-quality polycrystalline sample NiV2O6 by solid-state reaction technique”, Физика твердого тела, 62:6 (2020), 914; Phys. Solid State, 62:6 (2020), 1024–1032
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AtiAktRom20}
\by M.~Atikur Rahman, M.~R.~Akter, M.~Romana Khatun, R.~Sultana, M.~A.~Razzaque Sarker
\paper Synthesis and characterization of high-quality polycrystalline sample NiV$_2$O$_6$ by solid-state reaction technique
\jour Физика твердого тела
\yr 2020
\vol 62
\issue 6
\pages 914
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt10186}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2020
\vol 62
\issue 6
\pages 1024--1032
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783420060049}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt10186
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i6/p914
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    1. Ahmed Kotbi, Islam M. El Radaf, Ilham Hamdi Alaoui, Anna Cantaluppi, Andreas Zeinert, Abdelilah Lahmar, “Structural and Optical Characterization of Porous NiV2O6 Films Synthesized by Nebulizer Spray Pyrolysis for Photodetector Applications”, Micromachines, 15:7 (2024), 839  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:65
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025