|
Физика твердого тела, 2020, том 62, выпуск 9, страница 1542
(Mi ftt10181)
|
|
|
|
XXIV Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-13 марта 2020 г.
Сверхпроводимость
Spin-dependent electron transport in MeRAM
N. Kh. Useinova, A. P. Chuklanovb, D. A. Bizyaevb, N. I. Nurgazizovb, A. A. Bukharaevb a Institute of Physics, Kazan Federal University,
Kazan, Russia
b Zavoisky Physical-Technical Institute, FRC Kazan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Kazan, Russia
Аннотация:
The paper presents theoretical model of a straintronics magnetoelectric random-access memory (MeRAM) storage cell with configurational anisotropy. The MeRAM cell consists of ferromagnetic layers with different orientations of the quasi-uniform magnetization, which is divided into identical magnetic tunnel junction’s ferromagnet|insulator|ferromagnet, in the form of a sandwich of planar layers. The modified theory for magnetic tunnel junction is used to calculate the spin-dependent current and tunnel magnetoresistance like functions of orientations magnetizations of layers.
Ключевые слова:
straintronics, magnetic heterostructure, magnetic tunnel junction, spin-dependent current, tunnel magnetoresistance.
Поступила в редакцию: 26.03.2020 Исправленный вариант: 26.03.2020 Принята в печать: 02.04.2020
Образец цитирования:
N. Kh. Useinov, A. P. Chuklanov, D. A. Bizyaev, N. I. Nurgazizov, A. A. Bukharaev, “Spin-dependent electron transport in MeRAM”, Физика твердого тела, 62:9 (2020), 1542; Phys. Solid State, 62:9 (2020), 1706–1712
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt10181 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i9/p1542
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 47 | PDF полного текста: | 18 |
|