Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2020, том 62, выпуск 10, страница 1630 (Mi ftt10175)  

Полупроводники

Pressure effect study on the electronic and optical properties of B$_x$In$_{1-x}$As as alloys using DFT calculation

M. Guemoua, M. Khelila, A. Abdicheb

a Department of Sciences and Technologies, University of Tiaret, Algeria
b Electrical Engineering Department, Faculty of Applied Sciences, University of Tiaret, Algeria
Аннотация: In order to extract structural and electronic properties of B$_x$In$_{1-x}$As ternary alloys and enrich the database of materials based on boron and indium, we have used full-potential augmented plane wave (FP-LAPW) method through the density function theory (DFT) and within generalized gradient approximation (GGA), local density approximation (LDA), and Tran–Blaha modified Becke–Johnson approximation (TB–mBJ). We have optimized the cohesive energy of our binary compound and ternary alloys versus volume of the unit cell firstly, and we have found that the optimum volume, lattice parameter, and the bulk modulus vary for different boron concentrations. Using DFT–mBJ calculations, we found that InAs possess direct band-gap energy and an indirect gap semiconductor for BAs and B$_{0.75}$In$_{0.25}$As. However, B$_{0.25}$In$_{0.75}$As and B$_{0.5}$In$_{0.5}$As ternary alloys have a metallic and semi metallic characters, respectively. We also studied the optical properties of our BAs and InAs binary and B$_{0.75}$In$_{0.25}$As ternary semiconductors and their behaviors are also investigated under the application of hydrostatic pressure in a range of 0 to 25 GPa.
In summary, we conclude that the incorporation of boron atom in InAs increase its hardness and affects the band-gap energy considerably, and therefore provides a novel research perspective. We note that InAs binary compound loses its semiconductor character and becomes semi-metal at 5 GPa.
Ключевые слова: InAs, BAs, B$_x$In$_{1-x}$As, mBJ approximation.
Поступила в редакцию: 20.05.2020
Исправленный вариант: 04.06.2020
Принята в печать: 05.06.2020
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2020, Volume 62, Issue 10, Pages 1815–1829
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378342010011X
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: M. Guemou, M. Khelil, A. Abdiche, “Pressure effect study on the electronic and optical properties of B$_x$In$_{1-x}$As as alloys using DFT calculation”, Физика твердого тела, 62:10 (2020), 1630; Phys. Solid State, 62:10 (2020), 1815–1829
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GueKheAbd20}
\by M.~Guemou, M.~Khelil, A.~Abdiche
\paper Pressure effect study on the electronic and optical properties of B$_x$In$_{1-x}$As as alloys using DFT calculation
\jour Физика твердого тела
\yr 2020
\vol 62
\issue 10
\pages 1630
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt10175}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2020
\vol 62
\issue 10
\pages 1815--1829
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378342010011X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt10175
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i10/p1630
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024