Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2020, том 62, выпуск 11, страница 1834 (Mi ftt10169)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводники

Band-gap sensitived Seebeck effect in heavy group-IV monolayers

Y. Xuab, X. Lia, L. Qianc

a College of Physics Science and Technology, Yangzhou University Yangzhou, 225002, China
b National Laboratory of Solid State Microstructures, Department of Physics, and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, China
c School of Physics and Electronic Engineering, Jiangsu Normal University, Xuzhou, 221116, China
PDF полного текста (27 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: We have systematically investigated the spin- and valley-dependent Seebeck effect in irradiated heavy group-IV monolayers including silicene, germanene, and stanene by means of semi-classical Boltzmann equation in diffusive regime. Due to the interplay of strong intrinsic spin-orbit coupling, perpendicular electric field, and off-resonant light field, the temperature-driven spin and valley conductivity can be controllable effectively. Except for numerical results, the amplitude of Seebeck coefficient is analyzed and found to be in direct proportion to the band gap at high temperature. It supplies a flexible method to modulate the Seebeck effect. In addition, we have compared the thermoelectric transport properties of different group-IV materials and found that the figure of merit shows great enhancement from silicene to stanene. These findings are excepted to provide a platform for the heavy group-IV materials in future spin–valley thermal and energy-saving devices.
Ключевые слова: Seebeck effect, heavy group-IV materials, off-resonant light, spin and valley caloritronics.
Финансовая поддержка Номер гранта
National Natural Science Foundation of China 11747019
11804291
Natural Science Foundation of Jiangsu Province BK20180890
17KJB140031
National Laboratory of Solid State Microstructures of Nanjing University M30029
This work was supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant nos. 11747019 and 11804291), the Natural Science Foundation of Jiangsu Province (Grant no. BK20180890), the Universities Natural Science Research Project of Jiangsu Province (Grant no. 17KJB140031), the open project of National Laboratory of Solid State Microstructures of Nanjing University (Grant no. M30029).
Поступила в редакцию: 05.05.2020
Исправленный вариант: 30.06.2020
Принята в печать: 01.07.2020
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2020, Volume 62, Issue 11, Pages 2052–2057
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783420110402
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Y. Xu, X. Li, L. Qian, “Band-gap sensitived Seebeck effect in heavy group-IV monolayers”, Физика твердого тела, 62:11 (2020), 1834; Phys. Solid State, 62:11 (2020), 2052–2057
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{XuLiQia20}
\by Y.~Xu, X.~Li, L.~Qian
\paper Band-gap sensitived Seebeck effect in heavy group-IV monolayers
\jour Физика твердого тела
\yr 2020
\vol 62
\issue 11
\pages 1834
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt10169}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2020
\vol 62
\issue 11
\pages 2052--2057
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783420110402}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt10169
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i11/p1834
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024