Диэлектрическая релаксация, магнитодиэлектрические и магнитоэлектрические взаимодействия в керамике Bi$_{0.6}$La$_{0.4}$MnO$_{3}$

В интервалах температур $T$ = 10–220 K, частот $f$ = 20–10$^{6}$ Hz и магнитных индукций $B$ = 0 – 0.846 T выполнены измерения комплексной диэлектрической проницаемости $\varepsilon^{*}/\varepsilon_{0} =\varepsilon'/\varepsilon_{0}-i\varepsilon''/\varepsilon_{0}$ керамики манганита висмута-лантана Bi$_{0.6}$La$_{0.4}$MnO$_{3}$. При температуре 80 K в спектрах $\varepsilon'/\varepsilon_{0}(f)$ и $\varepsilon''/\varepsilon_{0}(f)$ обнаружена диэлектрическая релаксация, являющаяся суперпозицией вкладов нескольких релаксационных процессов, каждый из которых приоритетен в своем частотном диапазоне: I – $f<$ 10$^{3}$ Hz, II – 10$^{3}$ $< f<$ 10$^{5}$ Hz, III – 10$^{5}$ $<f<$ 10$^{6}$ Hz. В области = 10–120 K аномальное поведение $\varepsilon'/\varepsilon_{0}(T)$ и $\varepsilon''/\varepsilon_{0}(T)$ наблюдается вблизи температуры перехода из парамагнитной в ферромагнитную фазу и обусловлено андерсоновской локализацией носителей заряда на спиновом беспорядке.