Влияние расслоения фаз на электро- и магнетотранспорт в гетероэпитаксиальных пленках La$_{2/3}$Ca$_{1/3}$MnO$_{3}$

Исследованы пленки La$_{2/3}$Ca$_{1/3}$MnO$_{3}$ толщиной 25 nm, двухосно сжатые в плоскости подложки, выращенные квазикогерентно на поверхности (001) монокристалла LaAlO$_{3}$ c использованием лазерного испарения. Установлено, что механические напряжения, действовавшие в процессе зародышеобразования и роста, способствовали обогащению катионной подрешетки манганитного слоя кальцием, что обусловило уменьшение объема его элементарной ячейки. Кристаллические зерна в манганитных пленках были отчетливо ориентированы относительно нормали к плоскости подложки, размер зерен в плоскости подложки находился в пределах 20–40 nm, а их относительная разориентаци в плоскости подложки не превышала 0.2$^\circ$. В нулевом магнитном поле максимум на температурной зависимости электросопротивления $\rho$ пленок La$_{2/3}$Ca$_{1/3}$MnO$_{3}$ наблюдался при температурах, близких к 210 K. При $T<$ 100 K и $\mu_{0}H$ = 2 Т магнетосопротивление манганитных пленок было отрицательным, слабо зависело от температуры и имело значения порядка -0.45. Магнитное поле вызвало трансформацию включений неферромагнитной фазы, в ферромагнитные, что приводило к уменьшению электросопротивления пленок La$_{2/3}$Ca$_{1/3}$MnO$_{3}$ при увеличении магнитного поля. При низких температурах ($T<$ 100 K) на зависимостях электросопротивления пленок от магнитного поля наблюдался гистерезис.