Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 2, страницы 242–245 (Mi ftt10069)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводники

Распределение изотопов $^{28}$Si, $^{29}$Si и $^{30}$Si под действием пластической деформации в приповерхностных слоях кристаллов Si : B

О. В. Коплакab, М. А. Васильевc, Р. Б. Моргуновa

a Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
b Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко
c Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины, Киев, Украина
PDF полного текста (188 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Обнаружено перераспределение изотопов $^{28}$Si, $^{29}$Si и $^{30}$Si в приповерхностных слоях монокристаллов Si : B после их пластической деформации. Установлено, что после деформации профиль распределения изотопов $^{28}$Si, $^{29}$Si становится более плавным, а распределение изотопа $^{30}$Si не изменяется. Обнаружено изменение приповерхностного профиля оксида $^{29}$SiO, которое свидетельствует о миграции изотопа $^{29}$Si в составе кислородных комплексов при пластической деформации.
Поступила в редакцию: 02.07.2015
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 2, Pages 247–250
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783416020165
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Коплак, М. А. Васильев, Р. Б. Моргунов, “Распределение изотопов $^{28}$Si, $^{29}$Si и $^{30}$Si под действием пластической деформации в приповерхностных слоях кристаллов Si : B”, Физика твердого тела, 58:2 (2016), 242–245; Phys. Solid State, 58:2 (2016), 247–250
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KopVasMor16}
\by О.~В.~Коплак, М.~А.~Васильев, Р.~Б.~Моргунов
\paper Распределение изотопов $^{28}$Si, $^{29}$Si и $^{30}$Si под действием пластической деформации в приповерхностных слоях кристаллов Si : B
\jour Физика твердого тела
\yr 2016
\vol 58
\issue 2
\pages 242--245
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt10069}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668804}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2016
\vol 58
\issue 2
\pages 247--250
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416020165}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt10069
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i2/p242
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:18
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024