Воздействие магнитного поля на поляризацию кристаллов LiF при микроиндентировании

Исследованы процессы поляризации и деполяризации кристалла LiF при индентировании после экспозиции в постоянном магнитном поле ($B$ = 0.9 T, $t$ = 30 min). Показано, что разность потенциалов, возникающая вследствие перемещения заряженных дислокаций, в экспонированном кристалле возрастает более чем в 2 раза по сравнению с исходным образцом, а последующее зарядовое равновесие в таких образцах устанавливается примерно в 1.5 раза быстрее. Эти обстоятельства свидетельствуют о значительном возрастании концентрации свободных катионных вакансий, обусловленном воздействием магнитного поля.