А. П. Одринский, M.-H. Yu. Seyidov, R. A. Suleymanov, Т. Г. Мамедов, В. Б. Алиева, “Фотовольтаические токи и активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика–полупроводника TlInS$_{2}$ : La”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 696–701; Phys. Solid State, 58:4 (2016), 716

Физика твердого тела

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 4, страницы 696–701 (Mi ftt10014)

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Примесные центры

Фотовольтаические токи и активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика–полупроводника TlInS

_{2}

$_{2}$ : La

А. П. Одринский^a, M.-H. Yu. Seyidov^bc, R. A. Suleymanov^bc, Т. Г. Мамедов^b, В. Б. Алиева^b

^a Институт технической акустики НАН Беларуси, г. Витебск
^b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
^c Department of Physics, Gebze Institute of Technology, Gebze, Kocaeli, Turkey

PDF полного текста (314 kB) Список цитирования (7)

Аннотация: Приведены результаты исследования электрически активных дефектов кристаллической структуры в слоистом кристалле сегнетоэлектрика-полупроводника TlInS

_{2}

$_{2}$ : La методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS). Обнаружены состояния кристалла, различающиеся величиной фотоотклика, изменяющегося в пределах четырех порядков, что интерпретируется на основе различия в состоянии доменной структуры кристалла. Обсуждаются особенности регистрации термоэмиссии с дефектов при наличии дополнительного вклада фотовольтаической составляющей реакции кристалла на возбуждение светом.

Поступила в редакцию: 22.07.2015

Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 4, Pages 716–722
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783416040156

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: А. П. Одринский, M.-H. Yu. Seyidov, R. A. Suleymanov, Т. Г. Мамедов, В. Б. Алиева, “Фотовольтаические токи и активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика–полупроводника TlInS

_{2}

$_{2}$ : La”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 696–701; Phys. Solid State, 58:4 (2016), 716–722

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{OdrSeySul16}

\by А.~П.~Одринский, M.-H.~Yu.~Seyidov, R.~A.~Suleymanov, Т.~Г.~Мамедов, В.~Б.~Алиева

\paper Фотовольтаические токи и активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика--полупроводника TlInS$_{2}$ : La

\jour Физика твердого тела

\yr 2016

\vol 58

\issue 4

\pages 696--701

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt10014}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668992}

\transl

\jour Phys. Solid State

\yr 2016

\vol 58

\issue 4

\pages 716--722

\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416040156}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/ftt10014

https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i4/p696

Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:

An{\i}l Doğan, Ahmet Karatay, Mehmet Isik, Elif Akhuseyin Y{\i}ld{\i}z, Nizami Mamed Gasanly, Ayhan Elmali, “Revealing the Effects of Defect States on the Nonlinear Absorption Properties of the TlInsse and Tl2In2S3Se Crystals in Near-Infrared Optical Limiting Applications”, Crystal Growth & Design, 24:17 (2024), 6981
Esra Okumuş, Sibel Tokdemir Öztürk, Serdar Gören, Mehmet Erdem, Yasin Şale, Asuman Cengiz, Andrey P. Odrinsky, Arzu I. Najafov, Tofig G. Mammadov, Rustam I. Khaibullin, Andrey A. Sukhanov, Savaş Berber, Faik Mikailzade, MirHasan Yu. Seyidov, “Manganese diluted TlInS2 layered semiconductor: Optical, electronic and magnetic properties”, Journal of Alloys and Compounds, 1009 (2024), 176898
А. П. Одринский, “Фотогальванические токи и электрическая неоднородность 2-D-структурированного монокристалла сегнетоэлектрика-полупроводника”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1024–1029 ; A. P. Odrinsky, “Photogalvanic currents and electric inhomogeneity of 2-D the structured single crystal of the ferroelectric-semiconductor”, Phys. Solid State, 63:8 (2021), 1288–1293
А. П. Одринский, “Эффект модификации вклада термоэмиссии локализованных зарядов в релаксацию фотоотклика монокристалла TlGaSe $_{2}$ ”, Физика твердого тела, 62:4 (2020), 596–602 ; A. P. Odrinsky, “Effect of modification of the contribution of the thermal emission of localized charges to the relaxation of the photoresponse of a TlGaSe $_{2}$ single crystal”, Phys. Solid State, 62:4 (2020), 682–688
С. Н. Мустафаева, М. М. Асадов, “Влияние химического состава кристаллов TlIn $_{1-x}$ Er $_{x}$ S $_{2}$ (0 $\le x\le$ 0.01) на их диэлектрические характеристики и параметры локализованных состояний”, Физика твердого тела, 61:11 (2019), 2030–2035 ; S. N. Mustafaeva, M. M. Asadov, “Effect of the chemical composition of TlIn $_{1-x}$ Er $_{x}$ S $_{2}$ (0 $\le x\le$ 0.01) crystals on their dielectric characteristics and the parameters of localized states”, Phys. Solid State, 61:11 (2019), 1999–2004
A. Omar, A.F. Qasrawi, N.M. Gasanly, “Temperature effects on the structural and optical properties of the TlInSe2xS2(1-x) mixed crystals (x=0.3)”, Journal of Alloys and Compounds, 724 (2017), 98
А. П. Одринский, M.-H. Yu. Seyidov, Т. Г. Мамедов, В. Б. Алиева, “Параметрический резонанс и фотогальванические токи в слоистом кристалле TlGaSe $_{2}$ ”, Физика твердого тела, 59:3 (2017), 447–452 ; A. P. Odrinsky, M.-H. Yu. Seyidov, T. G. Mamedov, V. B. Alieva, “Parametric resonance and photogalvanic currents in layered TlGaSe $_{2}$ crystals”, Phys. Solid State, 59:3 (2017), 457–462

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	52
PDF полного текста:	21

Что такое QR-код?

Обратная связь:
math-net2025_04@mi-ras.ru

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы