Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 4, страницы 696–701 (Mi ftt10014)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Примесные центры

Фотовольтаические токи и активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика–полупроводника TlInS$_{2}$ : La

А. П. Одринскийa, M.-H. Yu. Seyidovbc, R. A. Suleymanovbc, Т. Г. Мамедовb, В. Б. Алиеваb

a Институт технической акустики НАН Беларуси, г. Витебск
b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
c Department of Physics, Gebze Institute of Technology, Gebze, Kocaeli, Turkey
PDF полного текста (314 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Приведены результаты исследования электрически активных дефектов кристаллической структуры в слоистом кристалле сегнетоэлектрика-полупроводника TlInS$_{2}$ : La методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS). Обнаружены состояния кристалла, различающиеся величиной фотоотклика, изменяющегося в пределах четырех порядков, что интерпретируется на основе различия в состоянии доменной структуры кристалла. Обсуждаются особенности регистрации термоэмиссии с дефектов при наличии дополнительного вклада фотовольтаической составляющей реакции кристалла на возбуждение светом.
Поступила в редакцию: 22.07.2015
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 4, Pages 716–722
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783416040156
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. П. Одринский, M.-H. Yu. Seyidov, R. A. Suleymanov, Т. Г. Мамедов, В. Б. Алиева, “Фотовольтаические токи и активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика–полупроводника TlInS$_{2}$ : La”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 696–701; Phys. Solid State, 58:4 (2016), 716–722
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OdrSeySul16}
\by А.~П.~Одринский, M.-H.~Yu.~Seyidov, R.~A.~Suleymanov, Т.~Г.~Мамедов, В.~Б.~Алиева
\paper Фотовольтаические токи и активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика--полупроводника TlInS$_{2}$ : La
\jour Физика твердого тела
\yr 2016
\vol 58
\issue 4
\pages 696--701
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt10014}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668992}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2016
\vol 58
\issue 4
\pages 716--722
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416040156}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt10014
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i4/p696
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024