Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 4, страницы 696–701 (Mi ftt10014)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Примесные центры

Фотовольтаические токи и активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика–полупроводника TlInS2 : La

А. П. Одринскийa, M.-H. Yu. Seyidovbc, R. A. Suleymanovbc, Т. Г. Мамедовb, В. Б. Алиеваb

a Институт технической акустики НАН Беларуси, г. Витебск
b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
c Department of Physics, Gebze Institute of Technology, Gebze, Kocaeli, Turkey
Аннотация: Приведены результаты исследования электрически активных дефектов кристаллической структуры в слоистом кристалле сегнетоэлектрика-полупроводника TlInS2 : La методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS). Обнаружены состояния кристалла, различающиеся величиной фотоотклика, изменяющегося в пределах четырех порядков, что интерпретируется на основе различия в состоянии доменной структуры кристалла. Обсуждаются особенности регистрации термоэмиссии с дефектов при наличии дополнительного вклада фотовольтаической составляющей реакции кристалла на возбуждение светом.
Поступила в редакцию: 22.07.2015
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 4, Pages 716–722
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783416040156
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. П. Одринский, M.-H. Yu. Seyidov, R. A. Suleymanov, Т. Г. Мамедов, В. Б. Алиева, “Фотовольтаические токи и активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика–полупроводника TlInS2 : La”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 696–701; Phys. Solid State, 58:4 (2016), 716–722
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OdrSeySul16}
\by А.~П.~Одринский, M.-H.~Yu.~Seyidov, R.~A.~Suleymanov, Т.~Г.~Мамедов, В.~Б.~Алиева
\paper Фотовольтаические токи и активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика--полупроводника TlInS$_{2}$ : La
\jour Физика твердого тела
\yr 2016
\vol 58
\issue 4
\pages 696--701
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt10014}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668992}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2016
\vol 58
\issue 4
\pages 716--722
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416040156}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt10014
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i4/p696
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    1. An{\i}l Doğan, Ahmet Karatay, Mehmet Isik, Elif Akhuseyin Y{\i}ld{\i}z, Nizami Mamed Gasanly, Ayhan Elmali, “Revealing the Effects of Defect States on the Nonlinear Absorption Properties of the TlInsse and Tl2In2S3Se Crystals in Near-Infrared Optical Limiting Applications”, Crystal Growth & Design, 24:17 (2024), 6981  crossref
    2. Esra Okumuş, Sibel Tokdemir Öztürk, Serdar Gören, Mehmet Erdem, Yasin Şale, Asuman Cengiz, Andrey P. Odrinsky, Arzu I. Najafov, Tofig G. Mammadov, Rustam I. Khaibullin, Andrey A. Sukhanov, Savaş Berber, Faik Mikailzade, MirHasan Yu. Seyidov, “Manganese diluted TlInS2 layered semiconductor: Optical, electronic and magnetic properties”, Journal of Alloys and Compounds, 1009 (2024), 176898  crossref
    3. А. П. Одринский, “Фотогальванические токи и электрическая неоднородность 2-D-структурированного монокристалла сегнетоэлектрика-полупроводника”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1024–1029  mathnet  crossref; A. P. Odrinsky, “Photogalvanic currents and electric inhomogeneity of 2-D the structured single crystal of the ferroelectric-semiconductor”, Phys. Solid State, 63:8 (2021), 1288–1293  mathnet  crossref
    4. А. П. Одринский, “Эффект модификации вклада термоэмиссии локализованных зарядов в релаксацию фотоотклика монокристалла TlGaSe$_{2}$”, Физика твердого тела, 62:4 (2020), 596–602  mathnet  crossref; A. P. Odrinsky, “Effect of modification of the contribution of the thermal emission of localized charges to the relaxation of the photoresponse of a TlGaSe$_{2}$ single crystal”, Phys. Solid State, 62:4 (2020), 682–688  mathnet  crossref
    5. С. Н. Мустафаева, М. М. Асадов, “Влияние химического состава кристаллов TlIn$_{1-x}$Er$_{x}$S$_{2}$ (0 $\le x\le$ 0.01) на их диэлектрические характеристики и параметры локализованных состояний”, Физика твердого тела, 61:11 (2019), 2030–2035  mathnet  crossref; S. N. Mustafaeva, M. M. Asadov, “Effect of the chemical composition of TlIn$_{1-x}$Er$_{x}$S$_{2}$ (0 $\le x\le$ 0.01) crystals on their dielectric characteristics and the parameters of localized states”, Phys. Solid State, 61:11 (2019), 1999–2004  mathnet  crossref
    6. A. Omar, A.F. Qasrawi, N.M. Gasanly, “Temperature effects on the structural and optical properties of the TlInSe2xS2(1-x) mixed crystals (x=0.3)”, Journal of Alloys and Compounds, 724 (2017), 98  crossref
    7. А. П. Одринский, M.-H. Yu. Seyidov, Т. Г. Мамедов, В. Б. Алиева, “Параметрический резонанс и фотогальванические токи в слоистом кристалле TlGaSe$_{2}$”, Физика твердого тела, 59:3 (2017), 447–452  mathnet  crossref; A. P. Odrinsky, M.-H. Yu. Seyidov, T. G. Mamedov, V. B. Alieva, “Parametric resonance and photogalvanic currents in layered TlGaSe$_{2}$ crystals”, Phys. Solid State, 59:3 (2017), 457–462  mathnet  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025