Модель магниторефрактивного эффекта в манганитах в рамках теории эффективной среды

Исследован магниторефрактивный эффект (MRE) в манганитах в рамках теории эффективной среды. Проведены расчеты MRE в манганитах La$_{1-x}$K$_{x}$MnO$_{3}$ ($x$ = 0.1 и 0.15) при прохождении и отражении света. Хорошее согласие с экспериментальными результатами демонстрирует прямую связь MRE с магнитосопротивлением и оптическими свойствами манганитов с разным уровнем замещения. Показано, что MRE может превышать 10% в ближней и средней ИК-области вблизи магнитного фазового перехода и менять знак, как при прохождении, так и при отражении света в области фононных мод. Результаты позволяют рекомендовать MRE как бесконтактный метод исследования магниторезистивных материалов, а также для создания сенсоров и элементов микроэлектроники.