Анализ кристаллической структуры тонких пленок с помощью дифракции рентгеновских лучей в скользящей Брэгг–Лауэ геометрии

Выяснены возможности анализа напряжений в тонких монокристаллических пленках с помощью дифракции рентгеновских лучей в скользящей Брэгг–Лауэ геометрии. На примере пленок силицида кобальта CoSi$_{2}$ толщиной 0.16 мкм, полученных на подложках кремния ориентации (111), восстановлен характер деформации в пленке, определен тензор деформации по поверхности.
Обсуждаются возможности метода в исследовании более тонких пленок, а также его модификации.