|
Фундаментальная и прикладная математика, 2009, том 15, выпуск 6, страницы 151–166
(Mi fpm1265)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Численное моделирование резонансных “запрещённых” отражений в кристалле Ge
А. П. Орешкоa, В. Е. Дмитриенкоb, Е. Н. Овчинниковаa a Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
b Институт кристаллографии РАН им. А. В. Шубникова
Аннотация:
“Запрещённые” отражения наблюдаются при дифракции синхротронного излучения с длинами волн, близкими к краям поглощения, в кристаллах. В настоящей работе предлагается новый метод расчёта интенсивности термоиндуцированных запрещённых отражений. Он включает в себя два этапа: моделирование мгновенных тепловых атомных смещений с помощью метода “ab initio” молекулярной динамики и последующее квантовомеханическое вычисление амплитуды резонансного рассеяния для различных конфигураций. Эта методика использована для расчёта температурного поведения интенсивности отражения 600 в Ge и хорошо объясняет экспериментальные данные. Предложенный метод моделирования запрещённых термоиндуцированных отражений годится для любых кристаллических структур и может объяснить многие результаты, полученные к настоящему времени на синхротронах.
Ключевые слова:
синхротронное излучение, резонансная дифракция, аномальное рассеяние, запрещённые брэгговские отражения, термоиндуцированные отражения, первопринципная молекулярная динамика.
Образец цитирования:
А. П. Орешко, В. Е. Дмитриенко, Е. Н. Овчинникова, “Численное моделирование резонансных “запрещённых” отражений в кристалле Ge”, Фундамент. и прикл. матем., 15:6 (2009), 151–166; J. Math. Sci., 172:6 (2011), 859–869
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/fpm1265 https://www.mathnet.ru/rus/fpm/v15/i6/p151
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 295 | PDF полного текста: | 136 | Список литературы: | 42 | Первая страница: | 1 |
|