|
Физика горения и взрыва, 1986, том 22, выпуск 2, страницы 133–135
(Mi fgv4167)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводниковый датчик импульсного давления
К. Э. Бернотас, А. А. Грицюс, С. Г. Жиленис, Ч. К. Петровский г. Вильнюс
Аннотация:
Приведена конструкция датчиков импульсного давления на основе полупроводниковых преобразователей из твердых растворов арсенидов галлия и алюминия. Полупроводниковые датчики обладают низким выходным сопротивлением (300–500 Ом), высокой чувствительностью к давлению (0,3–0,6 В/100 МПа) и линейностью зависимости сопротивления от давления (в диапазоне 0–100 МПа нелинейность менее 1,5%). Приведены примеры регистрации давления с помощью полупроводниковых датчиков при горении пороха.
Поступила в редакцию: 18.04.1985
Образец цитирования:
К. Э. Бернотас, А. А. Грицюс, С. Г. Жиленис, Ч. К. Петровский, “Полупроводниковый датчик импульсного давления”, Физика горения и взрыва, 22:2 (1986), 133–135; Combustion, Explosion and Shock Waves, 22:2 (1986), 256–258
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/fgv4167 https://www.mathnet.ru/rus/fgv/v22/i2/p133
|
|