Световое излучение фторопласта в ударной волне интенсивностью 51 ГПа

Проведен анализ локализации источников излучения, возникающих при ударном нагружении фторопласта до высоких давлений. Установлено сильное влияние состояния контактной поверхности границы экран – образец на профиль импульса излучения. Проведена коррелированная по времени регистрация профилей давления и излучения, а также профилей электросопротивления образца фторопласта, позволившая определить моменты возникновения и длительность сигналов излучения. Проведен расчет формы импульса излучения с некоторыми упрощающими предположениями об излучательной способности ударно-сжатой части образца. Установлено, что в зависимости от состояния контактной поверхности перед фронтом ударной волны возникает зона, в которой электросопротивление фторопласта уменьшается на 9–10 порядков величины.
Высказано предположение о возникновении впереди фронта ударной волны волны фотопроводимости, индуцированной светом.