|
Доклады Академии наук, 1973, том 212, номер 6, страницы 1326–1327
(Mi dan50539)
|
|
|
|
ФИЗИКА
Лазерные свойства кристалла $\mathrm{Y}_2\mathrm{SiO}_5$ – $\mathrm{Nd}^{3+}$ при излучении на переходах
$^4F_{3/2}\to^4I_{11/2}$ и $^4F_{3/2}\to^4I_{13/2}$
Х. С. Багдасаровab, А. А. Каминскийab, А. М. Кеворковab, A. М. Прохоровab, С. Э. Саркисовab, Т. А. Тевосянab a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, г. Москва
b Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова АН СССР, г. Москва
Поступило: 12.07.1973
Образец цитирования:
Х. С. Багдасаров, А. А. Каминский, А. М. Кеворков, A. М. Прохоров, С. Э. Саркисов, Т. А. Тевосян, “Лазерные свойства кристалла $\mathrm{Y}_2\mathrm{SiO}_5$ – $\mathrm{Nd}^{3+}$ при излучении на переходах
$^4F_{3/2}\to^4I_{11/2}$ и $^4F_{3/2}\to^4I_{13/2}$”, Докл. АН СССР, 212:6 (1973), 1326–1327
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/dan50539 https://www.mathnet.ru/rus/dan/v212/i6/p1326
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 123 | PDF полного текста: | 41 |
|