|
Доклады Академии наук, 1997, том 352, номер 4, страницы 470–471
(Mi dan50257)
|
|
|
|
ФИЗИКА
О механизме экситонного свечения Гросса в полупроводнике $\mathrm{A}_3\mathrm{B}_5$, легированном изовалентными примесями
П. К. Хабибуллаев, С. З. Зайнабиддинов, С. А. Исламов, Б. Л. Оксенгендлер Ташкентский государственный университет
Поступило: 05.04.1996
Образец цитирования:
П. К. Хабибуллаев, С. З. Зайнабиддинов, С. А. Исламов, Б. Л. Оксенгендлер, “О механизме экситонного свечения Гросса в полупроводнике $\mathrm{A}_3\mathrm{B}_5$, легированном изовалентными примесями”, Докл. РАН, 352:4 (1997), 470–471
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/dan50257 https://www.mathnet.ru/rus/dan/v352/i4/p470
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 94 | PDF полного текста: | 30 |
|