Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1997, том 352, номер 4, страницы 470–471 (Mi dan50257)  
ФИЗИКА

О механизме экситонного свечения Гросса в полупроводнике $\mathrm{A}_3\mathrm{B}_5$, легированном изовалентными примесями

П. К. Хабибуллаев, С. З. Зайнабиддинов, С. А. Исламов, Б. Л. Оксенгендлер

Ташкентский государственный университет
PDF полного текста (174 kB)
Поступило: 05.04.1996
Тип публикации: Статья
УДК: 537.3
Образец цитирования: П. К. Хабибуллаев, С. З. Зайнабиддинов, С. А. Исламов, Б. Л. Оксенгендлер, “О механизме экситонного свечения Гросса в полупроводнике $\mathrm{A}_3\mathrm{B}_5$, легированном изовалентными примесями”, Докл. РАН, 352:4 (1997), 470–471
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaZaiIsl97}
\by П.~К.~Хабибуллаев, С.~З.~Зайнабиддинов, С.~А.~Исламов, Б.~Л.~Оксенгендлер
\paper О механизме экситонного свечения Гросса в полупроводнике $\mathrm{A}_3\mathrm{B}_5$, легированном изовалентными примесями
\jour Докл. РАН
\yr 1997
\vol 352
\issue 4
\pages 470--471
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan50257}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan50257
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v352/i4/p470
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024